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A 28-nm Hybrid-Domain Outer Product-Based Floating-Point SRAM Computing-in-Memory Macro With Logarithm Bit-Width Residual ADC for Edge AI 相关领域
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计算机科学
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计算机硬件
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工程类
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数据转换
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树形结构
矩形
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期刊:IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者:Yiyang Yuan; Zhongyi Sun; Yiming Yang; Xinghua Wang; Xiaoran Li; et al 出版日期:2026-08-01 |
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