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  Dopant Activation Comparison in Phosphorus and Nitrogen Implanted 4H-Silicon Carbide 相关领域
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| 其它 | DAS S, LICHTENWALNER D J, DIXIT H, et al. Dopant Activation Comparison in Phosphorus and Nitrogen Implanted 4H-Silicon Carbide[J]. Solid State Phenomena, 2024, 359: 35–39. |
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(2025-6-4)
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