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High Performance p-GaN Gate HEMT with TiNxOy Resistive Field Plate Structure |
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期刊:International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者:Zhuo-Cheng Wang; Wan-Jun Chen; Fangzhou Wang; Cheng Yu; Xiao-Chuan Deng; et al 出版日期:2025-06-01 |
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(2025-6-4)