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 Native point defects in yttria and relevance to its use as a high-dielectric-constant gate oxide material: First-principles study 氧化钇中的原生点缺陷及其作为高介电常数栅极氧化物材料的相关性：第一性原理研究
相关领域
钇
材料科学
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氧化钇稳定氧化锆
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期刊：Physical Review B 作者：Jie Zheng; Gerbrand Ceder; Thomas Maxisch; W. K. Chim; W. K. Choi 出版日期：2006-03-03 |
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