Low temperature epitaxy of tensile-strained Si:P

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标题	Low temperature epitaxy of tensile-strained Si:P 拉伸应变Si：P的低温外延相关领域外延极限抗拉强度薄脆饼分析化学（期刊）化学无定形固体电阻率和电导率沉积（地质）单晶硅托尔材料科学硅纳米技术冶金结晶学电气工程图层（电子）色谱法古生物学工程类物理热力学沉积物生物
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126543
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2022.126543 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Jean-Michel Hartmann; J. Kanyandekwe 出版日期：2022-03-01
求助人	atang 在 2025-09-09 19:18:32 发布自美国，悬赏 10 积分
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