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  Demonstration of 621-nm-wavelength InGaN-based single-quantum-well LEDs with an external quantum efficiency of 4.3% at 10.1 A/cm2 621 nm波长InGaN基单量子阱LED的演示，在10.1 A/cm2下外部量子效率为4.3%
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光学
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物理
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期刊：AIP Advances 作者：Daisuke Iida; Pavel Kirilenko; Martin Velazquez-Rizo; Zhe Zhuang; Mohammed A. Najmi; et al 出版日期：2022-06-01 |
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