Electrical transport properties of unintentionally doped GaN crystals with dominant point defects

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标题	Electrical transport properties of unintentionally doped GaN crystals with dominant point defects
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2025.417237
DOI	10.1016/j.physb.2025.417237 doi
其它	期刊：Physica B: Condensed Matter 作者：Ying-Wu Zhang; Zeng-Yin Dong; Kuang-Hong Gao; Yang Yang; Zhi-Qing Li 出版日期：2025-08-01
求助人	829302yft 在 2026-09-12 17:26:42 发布自上海，悬赏 10 积分
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