A G-Band SiGe BiCMOS LNA with an Area Efficient Built-In Temperature Compensation Circuit and Robust to TID Radiation

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标题	A G-Band SiGe BiCMOS LNA with an Area Efficient Built-In Temperature Compensation Circuit and Robust to TID Radiation
网址	https://doi.org/10.1109/access.2024.3465850
DOI	10.1109/access.2024.3465850 doi
其它	期刊：IEEE Access 作者：Alvaro Urain; David del Rio; C. Luján‐Martínez; Mikko Kantanen; Roc Berenguer 出版日期：2024-01-01
求助人	笑点低从凝在 2026-09-19 16:20:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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