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标题
7‐4: High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In‐Ga‐O (IGO:H) Thin‐Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization
7-4：通过固相结晶形成的高迁移率氢化多晶In-Ga-O（IGO：H）薄膜晶体管
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 结晶 微晶 无定形固体 溅射沉积 兴奋剂 光电子学 薄膜 相（物质） 多晶硅 化学工程 分析化学（期刊） 溅射 纳米技术 结晶学 冶金 图层（电子） 化学 有机化学 工程类
网址
https://doi.org/10.1002/sdtp.14612
DOI
10.1002/sdtp.14612 doi
其它 期刊：Sid's Digest Of Technical Papers
作者：Mamoru Furuta; Kenta Shimpo; Taiki Kataoka; Daiki Tanaka; Toshihiro Matsumura; et al
出版日期：2021-05-01
求助人
鱼儿爱学习吧 在 2025-05-23 16:02:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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