| 标题 |
 Room-Temperature Processed Lateral Trench-Metal–Insulator–Semiconductor Schottky Barrier Diodes with Amorphous Gallium Oxide (a-Ga2O3) Thin Films on Single-Crystal Silicon <100> 室温处理的横向沟道-金属-绝缘体-半导体Schottky Barrier二极管在硅上具有非晶体氧化物（a-Ga 2 O3）薄膜<100>
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
二极管
肖特基势垒
硅
制作
半导体
医学
替代医学
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
GingerF
潇洒的惋清
学术文献互助
pluto
jenningseastera
称心妙竹
无极微光
Criminology34
cherry2000
yjh123
Nole
tiptip
初景
MchemG
Puan
Feng
竹青
核桃
皖公网安备34019202002308
