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标题
Thermally Oxidized AlxGa2–xO3/n-Al0.6Ga0.4N:Si Unipolar Resistive Random-Access Memory
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网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c00365
AI链接 acs.orgdoi.org
DOI
10.1021/acsaelm.4c00365 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Tien-Yu Wang; Wei‐Chih Lai; Qiao-Ju Xie; Sheng-Po Chang; Cheng-Huang Kuo; et al
出版日期：2024-05-14
求助人
gang 在 2026-01-12 14:08:36 发布自北京，悬赏 10 积分
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