Fully depleted silicon on insulator(FDSOI) MOSFET: Study and design

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标题	Fully depleted silicon on insulator(FDSOI) MOSFET: Study and design 相关领域材料科学硅光电子学过程（计算）工作（物理）生产（经济）质量（理念）噪音（视频）复合材料电流（流体）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0298149
DOI	10.1063/5.0298149 doi
其它	期刊：AIP conference proceedings 作者：Karthik Kumar Vaigandla; Kiran Kumar Padakanti; Madhavi Kesoju; Kallepelli Srikanth 出版日期：2026-01-01
求助人	velpro 在 2026-01-22 14:27:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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