High power N-face GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy with optimization of AlN nucleation

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标题	High power N-face GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy with optimization of AlN nucleation 相关领域成核分子束外延材料科学光电子学晶体管电子迁移率感应高电子迁移率晶体管外延高电子迁移率晶体管宽禁带半导体电阻式触摸屏纳米技术化学图层（电子）电气工程电压有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.3130228
DOI	10.1063/1.3130228 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Man Hoi Wong; Yi Pei; James S. Speck; Umesh K. Mishra 出版日期：2009-05-04
求助人	生动娩在 2026-01-09 22:41:54 发布自上海，悬赏 10 积分
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