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 Back-gate bias effect on the linearity of pocket doped FDSOI MOSFET 背栅偏置对口袋掺杂FDSOI MOSFET线性度的影响
相关领域
跨导
线性
MOSFET
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电气工程
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Rameez Raja Shaik; L. Chandrasekar; Jean‐Pierre Raskin; K P Pradhan 出版日期：2022-01-22 |
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