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Structural and Electrical Properties of Si-Doped β-Ga2O3 Thin Films Deposited by RF Sputtering: Effects of Oxygen Flow Ratio and Post-Annealing Temperature 相关领域
材料科学
薄膜
电阻率和电导率
纳米晶材料
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分析化学(期刊)
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期刊:Coatings 作者:Haechan Kim; Yuta Kubota; Nobuhiro Matsushita; Gun‐Hwan Lee; Jeongsoo Hong 出版日期:2025-10-09 |
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