Study of Gate Leakage Current and Failure Mechanism for Schottky-Type p-GaN Gate of GaN HEMTs

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标题	Study of Gate Leakage Current and Failure Mechanism for Schottky-Type p-GaN Gate of GaN HEMTs
网址	https://doi.org/10.3390/electronics15081698
DOI	10.3390/electronics15081698 doi
其它	期刊：Electronics 作者：Cristina Miccoli; Marcello Cioni; Giacomo Cappellini; Alberto Millefanti; Alessio Pirani; et al 出版日期：2026
求助人	苏111 在 2026-06-08 17:07:27 发布自江苏，悬赏 10 积分
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