Generation mechanism of stress induced leakage current in flash memory cell

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标题	Generation mechanism of stress induced leakage current in flash memory cell 相关领域 SILC公司闪存闪光灯（摄影）材料科学量子隧道泄漏（经济）压力（语言学）电流（流体）光电子学电气工程计算机科学物理光学哲学宏观经济学工程类经济操作系统语言学
网址	https://doi.org/10.7498/aps.54.5867
DOI	10.7498/aps.54.5867 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Hongxia Liu; Zheng Xue-feng; Yue Hao 出版日期：2005-01-01
求助人	haoheee 在 2025-10-30 18:52:50 发布自吉林，悬赏 10 积分
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