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Device- and circuit-level variability due to random discrete dopant in resist- and spacer-defined nanoscale FinFETs 相关领域
抵抗
噪声裕度
静态随机存取存储器
材料科学
掺杂剂
CMOS芯片
纳米电子学
光电子学
电子工程
晶体管
纳米技术
电压
兴奋剂
电气工程
工程类
图层(电子)
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期刊:Journal of Micro/Nanolithography MEMS and MOEMS 作者:Rituraj Singh Rathore; Ashwani K. Rana 出版日期:2018-03-19 |
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