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 Comparative study of quasi-static and normal capacitance–voltage characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistors 非晶体In-Gall-Zn-Oxide薄膜晶体管准静态和正常电容电压特性的比较研究
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Sangwon Lee; Yong Woo Jeon; Sung‐Chul Kim; Dongsik Kong; Dae Hwan Kim; et al 出版日期：2010-11-12 |
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