| 标题 |
 Depth profiling of AlN and AlxGa1−xN crystals by XPS using Al Kα and Ag Lα line excitation and Ar ion gas cluster ion source 使用Al K α和Ag L α线激发和Ar离子气体团簇离子源的XPS对AlN和AlxGa1-xN晶体进行深度剖析
相关领域
X射线光电子能谱
溅射
异质结
材料科学
外延
光子能量
分子束外延
分析化学（期刊）
激发
光电子学
离子
薄膜
光子
图层（电子）
光学
化学
纳米技术
核磁共振
工程类
物理
有机化学
电气工程
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Oleksandr Romanyuk; J. Brault; Ivan Gordeev; Egor Ukraintsev; J. Houdková; et al 出版日期：2023-01-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
cdercder
Kao
Nole
Copyright
Criminology34
伶俐妙海
学术文献互助
斯文钢笔
OK
yjh123
蓝天
Twonej
sagitar
初景
GingerF
aaaa
avalanche
老胡
潇洒的惋清
皖公网安备34019202002308
