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标题
InGaN-based light-emitting diodes with Al content graded p-AlxGa1-xN top contact layer
相关领域
发光二极管 材料科学 二极管 光电子学 图层（电子） 复合材料
网址
https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115352
DOI
10.1016/j.physe.2022.115352 doi
其它 期刊：Physica E-low-dimensional Systems & Nanostructures
作者：Ming- Lun Lee; Shang-Ju Tu; Jinn‐Kong Sheu
出版日期：2022-06-09
求助人
默默的素阴 在 2025-11-06 15:56:11 发布自山东，悬赏 10 积分
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