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 Improvement of charge storage and retention characteristics of HfO2 Charge-Trapping layer in NVM based on InGaZnO channels 基于InGaZnO沟道的NVM中HfO2电荷俘获层电荷存储和保持特性的改善
相关领域
俘获
电荷（物理）
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非易失性存储器
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Jingwen Chen; Fucheng Wang; Zhong Pan; Jang‐Kun Song; Yong‐Sang Kim; et al 出版日期：2025-02-01 |
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