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Achieving high carrier concentration β-Ga2O3 epilayers via MOCVD using SiCl4 as dopant |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yaoping Lu; Zhenni Yang; Titao Li; Duanyang Chen; Hongji Qi; et al 出版日期:2026-01-12 |
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(2025-6-4)