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Nitrogen-graded electrostatic compensation for normally-off β-Ga2O3 planar-gate current-aperture vertical electron transistors |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Jiahao Yao; Hehe Gong; Gaofu Guo; Jiazhao Jia; Anjing Luo; et al 出版日期:2026-08-31 |
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