Nitrogen-Implanted Guard Rings for 600-V Quasi-Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes With a BFOM of 0.26 GW/cm2

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标题	Nitrogen-Implanted Guard Rings for 600-V Quasi-Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes With a BFOM of 0.26 GW/cm2
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3108951
DOI	10.1109/ted.2021.3108951 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xiaolu Guo; Yaozong Zhong; Yu Zhou; S. S. Su; Xin Chen; et al 出版日期：2021-09-10
求助人	Eden 在 2026-10-17 17:42:25 发布自广东，悬赏 10 积分
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