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 Metal contacts and Schottky barriers at β-Ga2O3 interfaces: High-throughput-assisted first-principles calculations β-Ga2O3界面的金属接触和肖特基势垒：高通量辅助第一性原理计算
相关领域
材料科学
吞吐量
肖特基势垒
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Wei Yu; Jiaren Feng; Qingzhong Gui; Xuhao Wan; Junjie Shi; et al 出版日期：2025-03-17 |
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