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 Impact of Al2O3 spacers on the improvement in short-channel effects for the mesa-shaped vertical-channel In-Ga-Zn-O thin-film transistors with a channel length below 100 nm Al2O3隔离物对改善沟道长度小于100nm的台面形垂直沟道In-Ga-Zn-O薄膜晶体管短沟道效应的影响
相关领域
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原子层沉积
光电子学
蚀刻（微加工）
薄脆饼
兴奋剂
晶体管
纳米技术
分析化学（期刊）
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电压
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Chae-Eun Oh; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Sung‐Min Yoon 出版日期：2023-12-09 |
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