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Cryogenic-temperature investigation of negative bias stress inducing threshold voltage instabilities on 4H-SiC MOSFETs 相关领域
碳化硅
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:F. Masin; Carlo De Santi; Jan Lettens; F. Geenen; Gaudenzio Meneghesso; et al 出版日期:2022-09-24 |
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