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Degradation Mechanism Analysis and Modeling of SiC MOSFETs Under 60Co Gamma Ray Total Ionizing Dose Irradiation 相关领域
电离辐射
辐照
放射化学
降级(电信)
伽马射线
材料科学
MOSFET
吸收剂量
机制(生物学)
碳化硅
剂量率
光电子学
化学
核物理学
物理
电子工程
工程类
晶体管
复合材料
电压
量子力学
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Runding Luo; Yuhan Duan; Tao Luo; Yifei Chang; Wenhua Shi; et al 出版日期:2025-05-16 |
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