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Temperature dependence of nonradiative recombination in low-band gap InxGa1−xAs/InAsyP1−y double heterostructures grown on InP substrates |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:T. H. Gfroerer; L. P. Priestley; M. F. Fairley; M. W. Wanlass 出版日期:2003-08-01 |
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(2025-6-4)