Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

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标题	[高分] Comparison of 1.2 kV SiC Superjunction MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
网址	http://dx.doi.org/10.1541/ieejeiss.144.257
DOI	10.1541/ieejeiss.144.257 doi
其它	期刊：IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 作者：Mitsuru Sometani; Kunihide Oozono; Shiyang Ji; Takeshi Tawara; Tadao Morimoto; et al 出版日期：2024-03-01
求助人	linkai 在 2026-09-15 16:44:55 发布自美国，悬赏 150 积分
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