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 学位论文 锑化镓单晶生长工艺研究 |
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作者 吴磊; 作者单位 天津大学; 授予单位 天津大学; 学科 电子与通信工程 授予学位 硕士 导师姓名 吴裕功,徐永宽; 年度 2015 GaSb是直接带隙半导体材料，禁带宽度为0.725eV，晶格常数为0.60959nm。GaSb可以与各种三元、四元的III-V族化合物半导体材料的晶格常数相匹配，因此由晶格失配导致的应力、缺陷等问题大大减少。GaSb已经成为制备长波LED及光电探测器、光纤通信器件的重要衬底材料。 目前制备GaSb单晶通常使用直拉法。该方法的优点是可以观察晶体在各个环节的生长状态，及时调整生长参数，缺点是GaSb熔体表面极易氧化而产生浮渣，妨碍引晶和单晶生长过程， |
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(2025-6-4)
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