| 标题 |
 Site-occupying behavior of boron in compensated p-type 4H–SiC grown by sublimation epitaxy 相关领域
升华（心理学）
阴极发光
硼
外延
分析化学（期刊）
杂质
接受者
材料科学
二次离子质谱法
兴奋剂
离子
化学
光电子学
纳米技术
凝聚态物理
物理
色谱法
发光
有机化学
心理治疗师
图层（电子）
心理学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：A. Kakanakova‐Georgieva; Rositsa Yakimova; Margareta K. Linnarsson; Erik Janzén 出版日期：2002-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
Criminology34
Zx_1993
xxfsx
Mic
小杭76
pluto
yznfly
西海岸第一rapper
ccm
小青椒
凤凰
GingerF
寻道图强
殷勤的紫槐
kentonchow
8R60d8
快乐的白秋
WB87
chenqiumu
悠悠
AC1号
看不了一点文献
皖公网安备34019202002308
