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 On La-doped HZO as a high-k dielectric for DRAM: Low EOT and approaches for its improvement 掺La HZO作为DRAM高k电介质的低EOT及其改进途径
相关领域
德拉姆
兴奋剂
光电子学
材料科学
电介质
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Roman R. Khakimov; Аnna G. Chernikova; Andrey M. Markeev 出版日期：2025-06-09 |
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