| 标题 |
 On La-doped HZO as a high-k dielectric for DRAM: Low EOT and approaches for its improvement 掺La HZO作为DRAM高k电介质的低EOT及其改进途径
相关领域
德拉姆
兴奋剂
光电子学
材料科学
电介质
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Roman R. Khakimov; Аnna G. Chernikova; Andrey M. Markeev 出版日期：2025-06-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
璐璐
invisight
DW
v0id
林狗
aaaa
xing_xing
牧青
极限001
123
wangyumumu
pluto
渡人舟
OK
学术文献互助
aajhajkahna
wch666
谢雷XIELei
zd
乐空思
皖公网安备34019202002308
