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 Process optimization for high electron mobility in nMOSFETs with aggressively scaled HfO/sub 2//metal stacks 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：V. Narayanan; K. Maitra; B.P. Linder; V.K. Paruchuri; E.P. Gusev; et al 出版日期：2006-06-28 |
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