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标题
Low leakage fully-vertical GaN-on-Si power MOSFETs
低泄漏全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
相关领域
材料科学 光电子学 击穿电压 晶体管 宽禁带半导体 阈值电压 掺杂剂 硅 功率半导体器件 图层（电子） 外延 泄漏（经济） 氮化镓 电压 兴奋剂 电气工程 纳米技术 经济 宏观经济学 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0253436
DOI
10.1063/5.0253436 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Yuchuan Ma; Hang Chen; Shuhui Zhang; Huantao Duan; Bin Hu; et al
出版日期：2025-08-04
求助人
笑点低从凝 在 2025-12-12 21:05:53 发布自陕西，悬赏 10 积分
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