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Effect of Growth Mode on Eu-Incorporation and Luminescence of Eu-Doped GaN Epitaxial Film Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 生长方式对等离子体辅助分子束外延生长Eu掺杂GaN薄膜Eu掺入和发光的影响
相关领域
分子束外延
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材料科学
反射高能电子衍射
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Ji-Ho Park; Akihiro Wakahara; Hiroshi Okada; Hiroto Sekiguchi; Ajay Tiwari; et al 出版日期:2011-03-01 |
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