Passivated indium oxide thin-film transistors with high field-effect mobility (128.3 cm2 V−1 s−1) and low thermal budget (200 °C)

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标题	Passivated indium oxide thin-film transistors with high field-effect mobility (128.3 cm2 V−1 s−1) and low thermal budget (200 °C)
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ad6a23
DOI	10.1088/1361-6463/ad6a23 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Na Xiao; Vishal Khandelwal; Saravanan Yuvaraja; Dhanu Chettri; Genesh Mainali; et al 出版日期：2024-08-02
求助人	嘿嘿在 2026-03-02 17:52:09 发布自陕西，悬赏 10 积分
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