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Quantum Capacitance in N-Polar GaN/AlGaN/GaN Heterostructures
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网址
https://doi.org/10.1109/led.2012.2196973
DOI
10.1109/led.2012.2196973 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Pil Sung Park; Digbijoy N. Nath; Siddharth Rajan
出版日期：2012-05-24
求助人
生动娩 在 2026-01-09 22:52:59 发布自上海，悬赏 10 积分
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