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 On the universal electric field dependence of the electron and hole effective mobility in MOS inversion layers MOS反型层中电子和空穴有效迁移率的普遍电场依赖性
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期刊：Solid-State Electronics 作者：A. Emrani; G. Ghibaudo; F. Balestra 出版日期：1994-01-01 |
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