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标题
Optimized InGaN/GaN Quantum Structure for High-Efficiency Micro-LEDs Displays With Low Current Injection
用于低电流注入高效微型发光二极管显示器的优化InGaN/GaN量子结构
相关领域
发光二极管 光电子学 量子阱 材料科学 二极管 亮度 量子限制斯塔克效应 量子点 铟镓氮化物 量子效率 光子学 氮化镓 物理 光学 纳米技术 激光器 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3283942
DOI
10.1109/ted.2023.3283942 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Feifan Xu; Guobin Wang; Tao Tao; Zhe Zhuang; Qiang Yan; et al
出版日期：2023-06-23
求助人
qqwrv 在 2025-07-04 11:27:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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