Junction-engineered Scaled High-performance GAA Nanosheet FETs with Ultra-low Temperature (< 350 °C) SiGe: B Source/Drain

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标题	Junction-engineered Scaled High-performance GAA Nanosheet FETs with Ultra-low Temperature (< 350 °C) SiGe: B Source/Drain
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353791
DOI	10.1109/IEDM50572.2025.11353791 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：R. Sarkar; D. Casey; A. Dutta; P. Eyben; A. Pondini; et al 出版日期：2025
求助人	admin 在 2026-06-08 15:40:22 发布自湖北，悬赏 10 积分
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