2T1M and Complementary 3T2M Type-XY SOT-MRAM with High Performance and High Density

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标题	2T1M and Complementary 3T2M Type-XY SOT-MRAM with High Performance and High Density 具有高性能和高密度的2T1M和互补3T2M型XY SOT-MRAM 相关领域磁阻随机存取存储器材料科学电气工程光电子学凝聚态物理随机存取存储器计算机科学物理工程类计算机硬件
网址	https://doi.org/10.1109/led.2025.3582797
DOI	10.1109/led.2025.3582797 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chenyu Hu; M. Y. Song; G. L. Chen; K. M. Chen; K. T. Chang; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	孤独丹秋在 2025-07-29 08:34:51 发布自美国，悬赏 20 积分
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