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 In situ nitrogen doping of β -Ga2O3 during MOCVD homoepitaxy: A theoretical and experimental study MOCVD同质外延过程中β-Ga2O3原位氮掺杂的理论与实验研究
相关领域
金属有机气相外延
原位
材料科学
氮气
兴奋剂
结晶学
纳米技术
化学
光电子学
外延
图层（电子）
有机化学
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Yaoping Lu; Ancang Yang; Titao Li; Jinxin Zhang; Lemin Jia; et al 出版日期：2025-08-18 |
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