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 Analysis of schottky barrier heights and reduced fermi-level pinning in monolayer CVD-grown MoS2 field-effect-transistors 单层CVD生长MoS2场效应晶体管中肖特基势垒高度和费米能级钉扎减小的分析
相关领域
材料科学
肖特基势垒
单层
化学气相沉积
二硫化钼
光电子学
肖特基二极管
薄脆饼
制作
场效应晶体管
费米能级
纳米技术
合金
晶体管
复合材料
电气工程
医学
替代医学
物理
工程类
病理
二极管
量子力学
电压
电子
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期刊：Nanotechnology 作者：Jing Xie; Naim Md Patoary; Guantong Zhou; Mohammed Yasir Sayyad; Sefaattin Tongay; et al 出版日期：2022-02-16 |
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