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![]() 基于深度学习和增强型自动编码器框架的GaN HEMT异质结构逆设计
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材料科学
高电子迁移率晶体管
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期刊:Materials Today Communications 作者:Wei Shu; Meilan Hao; Lina Yu; Weijun Li; Linjun Sun; et al 出版日期:2025-05-01 |
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