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  n + /p + GaN and n + /p + Al 0.10 Ga 0.90 N tunnel junctions: a promising alternative for hole injection in deep ultraviolet light-emitting diodes N+/p+GaN和N+/p+Al 0.10 Ga 0.90 N隧道结：深紫外发光二极管空穴注入的一种有前途的替代方案
相关领域
物理
材料科学
原子物理学
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| 其它 |
期刊：Journal of information display 作者：Jamshad Bashir; Muhammad Usman; D S Arteev; Waqas Saeed 出版日期：2024-11-04 |
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