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 Band Alignment Engineering in β-Ga2O3/4H-SiC Polar Heterojunctions via Orientation Selection: Interfacial Band Edge States and Hole Trapping 相关领域
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期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Jiaren Feng; Qingzhong Gui; Taiqiao Liu; Changshuai Yin; Fei Yang; et al 出版日期：2025-09-26 |
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