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 Radiation effects in silicon-on-insulator transistors with back-gate control method fabricated with OKI Semiconductor 0.20 μm FD-SOI technology OKI半导体0.20 μ m FD-SOI技术制造的背栅控制绝缘体上硅晶体管中的辐射效应
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
薄脆饼
NMOS逻辑
PMOS逻辑
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硅
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栅氧化层
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电压
工程类
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期刊：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment 作者：M. Kochiyama; T. Sega; K. Hara; Y. Arai; T. Miyoshi; et al 出版日期：2010-05-01 |
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