Concurrent characterization of GaN MOSHEMT gate leakage via electrical and thermoreflectance measurements

材料科学 光电子学 表征(材料科学) 泄漏(经济) 量子隧道 GSM演进的增强数据速率 电场 热的 介电强度 电介质 电气工程 纳米技术 计算机科学 工程类 物理 电信 气象学 经济 量子力学 宏观经济学
作者
David Kortge,Kerry Maize,Xiao Lyu,Peter Bermel,Peide D. Ye,Ali Shakouri
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:148: 115122-115122 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2023.115122
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